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深圳市汇创佳电子科技有限公司
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.2A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On)
4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值)
2.5V @ 25μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)
0.67nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)
64pF @ 25V
Vgs(值)
±16V
FET 功能
-
功率耗散(值)
1.25W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)
480 毫欧 @ 1.2A,10V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3